Silicio plokštelių terminis oksidavimasyra procesas, kurio metu ant silicio plokštelės paviršiaus aukštoje temperatūroje susidaro silicio dioksido sluoksnis. Šis procesas plačiai naudojamas puslaidininkinių įtaisų ir mikroelektronikos gamyboje.
Proceso metu silicio plokštelė dedama į krosnį ir kaitinama aukštoje temperatūroje, esant deguoniui arba vandens garams. Kylant temperatūrai, deguonis arba vandens garai reaguoja su plokštelės paviršiuje esančiais silicio atomais ir susidaro silicio dioksido sluoksnis.
Oksido sluoksnio storis gali būti reguliuojamas reguliuojant temperatūrą ir proceso trukmę. Susidaręs oksido sluoksnis yra lygaus paviršiaus ir didelio grynumo, o tai būtina kokybiškų puslaidininkinių įtaisų gamybai.
Terminis oksidacijos procesas yra esminis puslaidininkinių įtaisų gamybos etapas, nes jis sukuria apsauginį sluoksnį, kuris gali užkirsti kelią užteršimui ir pagerinti prietaisų patikimumą bei veikimą. Be to, oksido sluoksnis gali veikti kaip izoliatorius, leidžiantis sukurti skirtingus puslaidininkinės medžiagos regionus su skirtingomis elektrinėmis savybėmis.
Apibendrinant galima pasakyti, kad silicio plokštelių terminis oksidavimas yra labai svarbus puslaidininkinių įtaisų ir mikroelektronikos gamybos procesas. Tai suteikia vienodą, aukštos kokybės oksido sluoksnį, kuris pagerina prietaisų veikimą ir patikimumą bei leidžia sukurti skirtingus puslaidininkinės medžiagos regionus su skirtingomis elektrinėmis savybėmis.