Puslaidininkių pramonėje silicio plokštelės dažnai naudojamos gaminant daugybę elektroninių prietaisų, įskaitant mikroschemas, tranzistorius ir diodus. Įvairių rūšių silicio plokštelėms gaminti naudojami skirtingi gamybos būdai. CZ, FZ ir NTD plokštelės yra trys populiariausios silicio plokštelių rūšys.
CZ vafliai kuriami naudojant Czochralski auginimo metodą. Šis metodas apima silicio kristalo išlydymą ir lėtą traukimą aukštyn, tuo pat metu sukant. CZ procesas sukuria aukštos kokybės plokšteles, kurių gamyba yra palyginti nebrangi. CZ plokštelės plačiai naudojamos kasdienių elektroninių prietaisų gamyboje.
Kita vertus, FZ plokštelės yra sukurtos naudojant plaukiojančios zonos metodą. Šis metodas apima silicio kristalo lydymą ir lėtą aušinimą, tuo pačiu sukuriant aukštos kokybės kristalą. FZ plokštelės yra daug brangesnės nei CZ plokštelės dėl tikslaus ir sudėtingo jų gamybos proceso pobūdžio. FZ plokštelės naudojamos gaminant didelio našumo įrenginius, tokius kaip saulės elementai ir didelės galios elektroniniai komponentai.
NTD (Neutron Transmutation Doping) plokštelės sukuriamos į reaktorių įvedant silicio kristalą ir apšvitinant jį neutronais, kad susidarytų didelė priemaišų koncentracija. NTD plokštelės turi labai vienodą priemaišų pasiskirstymą, todėl jas galima naudoti radiacijai atspariuose įrenginiuose, pavyzdžiui, aviacijos ir gynybos sistemose.
Apibendrinant galima pasakyti, kad kiekviena silicio plokštelių rūšis turi skirtingas savybes, todėl jas galima naudoti įvairiems tikslams. NTD plokštelės naudojamos radiacijai atspariuose įrenginiuose, FZ plokštelės naudojamos didelio našumo įrenginiams, o CZ plokštelės yra nebrangios ir dažniausiai naudojamos kasdieniuose elektroniniuose įrenginiuose. Puslaidininkių pramonėje visų trijų rūšių plokštelės yra būtinos kuriant ir gaminant gyvybę gerinančius technologinius produktus.
